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IRLR3636TRLPBF  与  IPD079N06L3 G  区别

型号 IRLR3636TRLPBF IPD079N06L3 G
唯样编号 A-IRLR3636TRLPBF A-IPD079N06L3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3636TRLPBF, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 2.39mm 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.3mΩ 7.9mΩ@50A,10V
上升时间 - 26ns
Qg-栅极电荷 - 29nC
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 1V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
栅极电压Vgs - ±20V
正向跨导 - 最小值 - 36S
封装/外壳 - TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 99A 50A
配置 - Single
长度 6.73mm 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
每片芯片元件数目 1 Ohms -
正向二极管电压 1.3V -
下降时间 - 7ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA 2.2V @ 34µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3779pF 4900pF @ 30V
高度 6.22mm 2.3mm
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 43 ns -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) 143W 79W
典型关闭延迟时间 - 37ns
FET类型 - N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
系列 HEXFET OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 45 ns 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 49nC 29nC @ 4.5V
正向跨导 31S -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3636TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 99A 8.3mΩ 143W

暂无价格 0 当前型号
TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta)

¥8.3367 

阶梯数 价格
20: ¥8.3367
50: ¥6.4107
100: ¥5.7687
300: ¥5.3374
500: ¥5.2512
1,000: ¥5.1841
1,734 对比
TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta)

¥8.3367 

阶梯数 价格
20: ¥8.3367
50: ¥6.4107
100: ¥5.7687
300: ¥5.3374
500: ¥5.2512
1,000: ¥5.1841
1,501 对比
IRLR3636TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 143W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.8mΩ@50A,10V N-Channel 60V 99A D-Pak

暂无价格 0 对比
IPD079N06L3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD079N06L3GBTMA1_-55°C~175°C 60V 50A 7.9mΩ@50A,10V ±20V 79W N-Channel TO-252-3

暂无价格 0 对比
AOD2606 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V 20V 46A 150W 6.8mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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